IGBT Modul

2MBI150U4A-120
Print this pageseparatorSmaller textspacertextp
 
Fuji Electric
MFR Part No: 2MBI150U4A-120
IGBT Module, 1200 V, 150 A
120,76
(me TVSH): 0
Qnt. Shportë
DërgesaFalas>30€
w

Power module IGBTx2 1200V 150A.

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) a power transistor that has characteristics of both MOSFET and bipolar junction transistors (BJTs). Introduced in the 1980s, the IGBT handles high current, a characteristic of BJTs, but enables fast switching with greater ease of control. IGBTs are found in home appliances, electric cars and digital stereo power amplifiers. Modules with multiple IGBTs can support very high voltage and amperage.

Strukturë
Dual (x2)
Vce max 1.200 V
Ic max 150 A
Reverse Recovery Time 350 ns

Produktet e ngjajshme
Fokusimi është në konsumatorinDuam të sigurohemi që konsumatori të jetë në qender të vëmendjes.   Mbështetje teknike pa pagesëNëse diqka nuk shkon siq duhet, ne do të gatshëm me dëshirë të ju ndihmomjë!   Zgjedhje e madhe ne ju ofrojm te gjitha brendet botrore, duke përfshire Fluke, Mikroelektronika, Knipex dhe Logitech.   Dergese Opsione fleksibile, duke përfshirë edhe transportin deri tek dera.